LED发展历史
1961年，美国公司德州仪器的Robert Biard与Gary Pittman首次发现了砷化镓及其他半导体合金的红外放射作用。1962年，奇异公司的尼克·何伦亚克开发出第一种可实际应用的可见光发光二极管。

1993年，日本日亚化学工业（Nichia Corporation）工作的中村修二成功把镁掺入，造出了基于宽能隙半导体材料氮化镓和氮化铟镓（InGaN）、具有商业应用价值的蓝光发光二极管。中村修二于2014年因此工作与天野浩及赤崎勇得到诺贝尔物理学奖。部分评论认为，诺贝尔奖跳过了红色、绿色LED的发明者并不公平[3]。但诺贝尔委员会（物理学奖）委员长Per Delsing（瑞典Chalmers University of Technology教授）在《读卖新闻》专访中提出反驳，他坚称「仔细研究发明的贡献度之后，有十足信心决定这3个人获奖」。

有了蓝光发光二极管后，白光发光二极管也随即面世，之后LED便朝增加亮度的方向发展，当时一般的LED工作功率都小于30至60mW（毫瓦）。1999年输入功率达1W（瓦）的发光二极管商品化。这些发光二极管都以特大的半导体芯片来处理高电能输入的问题，而半导体芯片都是被固定在金属片上，以助散热。

2002年，在市场上开始有5W的发光二极管的出现，而其效率大约是每瓦18-22 lm（流明）。

2003年9月，Cree, Inc.公司展示了其新款的蓝光发光二极管，在20mW下效率达35%。他们亦制造了一款达65 lm/W（流明每瓦）的白光发光二极管商品，这是当时市场上最亮的白光发光二极管。2005年他们展示了一款白光发光二极管原型，在350mW下，创下了每瓦70 lm的记录性效率。

2009年2月，日本发光二极管厂商日亚化学工业发表了效率高达249 lm/W的发光二极管，此乃实验室数据。

2010年2月，Philips Lumileds造一白色LED在受控的实验室环境内，以标准测试条件及以350mA电流推动下得出208lm/W，但由于该公司无透露当时的偏压电压，所以未能得知其功率。

2012年4月，美国发光二极管大厂科锐（Cree）推出254 lm/W光效再度刷新功率。

OLED的工作效率比起一般的发光二极管低得多，最高的都只是在10%左右。但OLED的生产成本低得多，例如可以用简单的印制方法将特大的OLED数组安放在屏幕上，用以制造彩色显示屏。