Micro LED Display显示原理
显示原理比较
Micro LED Display的显示原理，系将LED结构设计进行薄膜化、微小化、数组化，其尺寸仅在1~10μm等级左右；后将μLED批量式转移至电路基板上（含下电极与晶体管），其基板可为硬性、软性之透明、不透明基板上；再利用物理沈积制程完成保护层与上电极，即可进行上基板的封装，完成一结构简单的Micro LED Display。

μLED典型结构是一PN接面二极管，由直接能隙半导体材料构成。当上下电极施加一顺向偏压于μLED，致使电流通过时，电子、电洞对于主动区（Active region） 复合，而发射出单一色光。μLED发光频谱其主波长的半高全宽FWHM仅约20nm，可提供极高的色饱和度，通常可大于120%NTSC。

且自2008年后LED光电转换效率大幅提高，100 lm/W以上的LED已成量产之标准。而在Micro LED Display的应用上，为自发光的显示特性，辅以几乎无光耗组件的简易结构，故可轻易达到低能耗（10%~20% TFT-LCD能耗） 或高亮度（1000nits以上） 的显示器设计。即可解决目前显示器应用的两大问题，一是穿戴型装置、手机、平板等设备，有8成以上的能耗在于显示器上，低能耗的显示器技术可提供更长的电池续航力；一是环境光较强（例：户外、半户外）致使显示器上的影像泛白、辨识度变差的问题，高亮度的显示技术可使其应用的范畴更加宽广。