半导体材料的制造

为了满足量产上的需求，半导体的电性必须是可预测并且稳定的，因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的质量都必须严格要求。常见的质量问题包括晶格的位错（dislocation）、孪晶面（twins）或是堆垛层错（英语：Stacking-fault energy）（stacking fault）[3] 都会影响半导体材料的特性。对于一个半导体组件而言，材料晶格的缺陷（晶体缺陷）通常是影响组件性能的主因。

目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为柴可拉斯基制程（钢铁场常见工法）。这种制程将一个单晶的晶种（seed）放入溶解的同材质液体中，再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时，溶质将会沿着固体和液体的界面固化，而旋转则可让溶质的温度均匀。