晶体管分类
晶体管可以依以下的方式分类：

半导体材料（最早使用的分类）：类金属锗（1947）及硅（1954）— 非晶、多晶及单晶形式）、化合物半导体有砷化镓（1966）及碳化硅（1997）、硅锗合金（1989），2004年开始研究的碳的同素异形体石墨烯等。
结构：BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等。
电极性（正电及负电，类似化学极性）：n–p–n及p–n–p（BJT），N信道及P信道（FET）
最大功率额定：可分为低功率、中功率及高功率。
最大工作频率：低频、中频、高频、调频（RF）、微波频率
应用：开关、泛用、音频、高压等。
封装：插入式金属封装或塑料封装、表面黏着技术、球栅数组封装、功率晶体等。
增益系数：hfe、βF[8]或gm（跨导）等。