LED發展歷史
1961年，美國公司德州儀器的Robert Biard與Gary Pittman首次發現了砷化鎵及其他半導體合金的紅外放射作用。1962年，奇異公司的尼克·何倫亞克開發出第一種可實際應用的可見光發光二極體。

1993年，日本日亞化學工業（Nichia Corporation）工作的中村修二成功把鎂摻入，造出了基於寬能隙半導體材料氮化鎵和氮化銦鎵（InGaN）、具有商業應用價值的藍光發光二極體。中村修二於2014年因此工作與天野浩及赤崎勇得到諾貝爾物理學獎。

有了藍光發光二極體後，白光發光二極體也隨即面世，之後LED便朝增加光度的方向發展，當時一般的LED工作功率都小於30至60mW（毫瓦）。1999年輸入功率達1W（瓦）的發光二極體商品化。這些發光二極體都以特大的半導體晶片來處理高電能輸入的問題，而半導體晶片都是被固定在金屬片上，以助散熱。

2002年，在市場上開始有5W的發光二極體的出現，而其效率大約是每瓦18-22 lm（流明）。

2003年9月，Cree, Inc.公司展示了其新款的藍光發光二極體，在20mW下效率達35%。他們亦製造了一款達65 lm/W（流明每瓦）的白光發光二極體商品，這是當時市場上最亮的白光發光二極體。2005年他們展示了一款白光發光二極體原型，在350mW下，創下了每瓦70 lm的記錄性效率。

2009年2月，日本發光二極體廠商日亞化學工業發表了效率高達249 lm/W的發光二極體，此乃實驗室數據。

2010年2月，Philips Lumileds造一白色LED在受控的實驗室環境內，以標準測試條件及以350mA電流推動下得出208lm/W，但由於該公司無透露當時的偏壓電壓，所以未能得知其功率。

2012年4月，美國發光二極體大廠科銳（Cree）推出254 lm/W光效再度刷新功率。

OLED的工作效率比起一般的發光二極體低得多，最高的都只是在10%左右。但OLED的生產成本低得多，例如可以用簡單的印製方法將特大的OLED陣列安放在螢幕上，用以製造彩色顯示幕。