電晶體可靠性

半導體裝置對雜質和灰塵很敏感。所以在繁複的生產工藝中，精確控制雜質和灰塵的等級是非常必要的。最終產品的品質很大程度上依靠生產中的各個相對獨立而又相互影響的生產階段，例如金屬化（metallization）、晶片材料（chip material）、封裝等。

由於技術飛速進步，新材料和新工藝不斷被用於新研發的器件中，設計時間表根據非迴圈工程常數（non-recurring engineering）限定，再加上市場對設計時間不斷提出苛刻要求，所以可靠性設計基本不可能按照已有的產品進行。

為達到一定的經濟指標，半導體產品總1大批次生產的；並且修理半導體產成品也是不實際的。所以半導體產品在設計階段加入可靠性的概念和在生產階段減少變數就成為十分必要的要求。半導體裝置可靠性取決於裝配，使用，環境狀況。影響因素包括氣體、灰塵、沾污、電壓、電流密度、溫度、濕度、應力，往復振動，劇烈震盪、壓強和電磁場的強度。

設計方面影響半導體裝置可靠性的因素包括：電壓衰退、功率衰退、電流衰退、穩定性、邏輯時間變差（logic simulation）、時效分析（timing analysis）、溫度衰退和工藝控制。
提高方法

半導體裝置可靠性依靠以下方法保證其處於高水準：

    在無塵室內生產，以控制雜質。
    嚴格的工藝控制，減少變數。
    老化（短時間，極端條件下運轉）並測試以減少不合格品漏過。
    半導體晶片測試，指在封裝前，用連接測試裝置的探針，在顯微裝置下接觸晶片並進行測試，去除不合格品。
    用整套參數測試封裝後的半導體裝置，確保產品能正常運作