GaN-on-Si-Technologie: Die GaN-on-Si-Technologie beinhaltet das Wachstum von Galliumnitrid (GaN) auf einem Siliziumsubstrat, was dazu beiträgt, die Produktionskosten zu senken und die Produktionseffizienz zu verbessern. Diese Technologie wird für die Herstellung von leistungsstarken und hochhellen LED-Komponenten verwendet.